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TESCAN MAIA3超高分辨場發(fā)射掃描電鏡(LM)

價  格:詢價

產(chǎn)  地:更新時間:2021-01-18 15:02

品  牌:型  號:MAIA3 model 2016 (LM)

狀  態(tài):正常點擊量:2626

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MAIA3 model 2016

為超高分辨新開發(fā)的電子光學(xué)系統(tǒng)

MAIA3 model 2016產(chǎn)品是***款具有超高表面靈敏度的高分辨掃描電子顯微鏡,在不同加速電壓下均有著出色的成像能力。MAIA3 model 2016在低電壓下也有極好的性能,尤其對電子束敏感的半導(dǎo)體器件樣品以及納米材料等都具有優(yōu)異的表面靈敏度及高空間分辨率。全新的MAIA3也非常適合研究不導(dǎo)電試樣如原始狀態(tài)的生物樣品。


主要特點:

TriglavTM――新開發(fā)的超高分辨電子光學(xué)鏡筒并配備TriLensTM物鏡及的探測系統(tǒng)

  • 超高分辨率物鏡(60度浸沒式物鏡),全新的用于高分辨率分析工作的無漏磁分析物鏡,重新設(shè)計用于超大視場觀察的中間鏡。

  • 獨特的電子束無交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合,獲得了卓越的成像性能

  • 傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路設(shè)計提供各種工作和顯示模式

  • 全新的EquiPower?技術(shù)進***步提高電子束的穩(wěn)定性

  • 新的肖特基場發(fā)射電子槍能使電子束流高達(dá)400nA并能實現(xiàn)電子束能量的快速改變

  • 通過擴展樣品室和專用支架能達(dá)到12”晶圓的SEM觀察

  • 的TriBETM技術(shù)具有三個BSE探測器,可以選擇不同角度的信號進行采集。位于鏡筒內(nèi)部的Mid-Ange BSE和In-Beam LE-BSE探測器,用于檢測中等角度及軸向的高角背散射電子,而樣品室的BSE探測器用于探測大角度范圍的背散射電子。并且這三個探測器能探測到低于200eV的低能背散射信號,綜合在***起,他們可以提供各種不同襯度的圖像

  • 的TriSETM技術(shù)具有三個SE探測器,對所有工作模式下采集二次電子信號都進行了優(yōu)化。位于鏡筒內(nèi)部的In-Beam SE探測器能在短工作距離下采集二次電子。用于電子束減速模式下的SE(BDM)探測器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測器能提供*佳的形貌襯度

  • 電子束減速技術(shù)(BDT)能在低至50eV的低電壓下,也仍具有出色的分辨率(選配)

  • 的電子束實時追蹤技術(shù)可對電子束實現(xiàn)實時優(yōu)化

  • 擴展的低真空模式樣品室氣壓能達(dá)到500Pa,可用于不導(dǎo)電樣品的成像

超高分辨率 0.7@15keV,1.0nm@1keV

浸沒式物鏡系統(tǒng)和無交叉電子束模式結(jié)合在***起,可在低能量下實現(xiàn)超高分辨成像。浸沒式物鏡能在樣品周圍產(chǎn)生強磁場,顯著降低了像差。而無交叉電子束模式則降低了Boersch效應(yīng),對電子束進行進***步的優(yōu)化,*終達(dá)到1.0nm @1keV的超高分辨率。


低電壓和超低電壓成像

電子束減速技術(shù)(BDT)包括了電子束減速模式(BDM),以及在這個模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號的高質(zhì)量的透鏡內(nèi)探頭。在電子束減速模式下,通過加在樣品臺上的負(fù)偏壓使得電子束在作用到樣品表面前降低能量。的著陸電壓可以降低到50eV(在手動控制下可以降到0eV)。電子束減速模式下減少了光路畸變,增強了電子鏡筒的性能,因而在低電壓下可以獲得更小的束斑直徑和高分辨的圖片。低電壓成像可以有效減少在觀察不導(dǎo)電樣品成像時出現(xiàn)的放電效應(yīng),也有利于對那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的觀察。在這個模式下,可以達(dá)到對于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率。



應(yīng)用

MAIA3 model 2016非常適合非導(dǎo)電樣品和電子束敏感樣品的成像,如各種原始狀態(tài)的生物樣品。MAIA3 model 2016能獲得高靈敏的表面形貌,其出色的低電壓性能和高分辨成像是各個科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域*佳的SEM系統(tǒng)選擇。

材料科學(xué)

MAIA3 model 2016在低電壓下有著很好的分辨率,對納米材料的表征有著極大的優(yōu)勢。尤其適合各種敏感材料和不導(dǎo)電材料(如陶瓷,聚合物,玻璃,纖維等)。

半導(dǎo)體,光電和太陽能電池

MAIA3 model 2016能被高效地應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)的失效分析中(集成電路,半導(dǎo)體超薄切片檢測,太陽能電池,納米傳感器等)

光刻

擁有超高分辨率的MAIA3 model 2016在電子束刻蝕領(lǐng)域也是個強大的工具。而且MAIA3 model 2016非常適合在高能電子束下很容易受到損傷的光刻膠的成像。

生命科學(xué)

低電壓下?lián)碛谐叻直媛实腗AIA3 model 2016能不需要鍍導(dǎo)電膜進行樣品在原始狀態(tài)下的觀察。




產(chǎn)品參數(shù)


產(chǎn)品介紹



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